Nie ma wątpliwości, że pamięć NAND Flash staje się pamięcią masową przyszłości. I to jest nieulotne RAM niesie za sobą nie tylko brak problemów z dostępem do dysków, ale także wyższe prędkości transferu. Micron właśnie ogłosił 232-warstwowy 3D NAND pamięć, a Western Digital też nie jest garbem. Przyjrzyjmy się przyszłości dysków SSD NVMe.
Na rynku dostępnych jest wiele rodzajów pamięci flash o różnych zastosowaniach i interfejsach. Ale od jakiegoś czasu obserwujemy powszechną ewolucję: wykorzystanie pamięci 3D NAND. Który polega na układaniu w stosy chipów pamięci flash w pionie i wykorzystywaniu ścieżek przez krzem do komunikacji z nimi. Pozwala im to zwiększyć ich wydajność bez konieczności stosowania skomplikowanych i kosztownych zaawansowanych węzłów produkcyjnych.
Jest to ważne ze względu na fakt, że jeśli istnieje punkt, w którym ten rodzaj pamięci masowej słabnie, to jest to cena przechowywania znacznie wyższa niż w przypadku konwencjonalnego dysku twardego. Jest to więc główna motywacja dzisiejszych producentów, gdy mówimy o nieulotnych układach pamięci. To jest rodzaj pamięci używanej w dyskach SSD NVMe, które wszystkie laptopy są już montowane w standardzie.
Micron wprowadza swoją 232-warstwową pamięć 3D NAND
Tak, nadeszła ta pora roku i po długim oczekiwaniu producent przekroczył już 200 warstw w swojej pamięci flash. Mamy na myśli 232-warstwowa pamięć 3D NAND firmy Micron . Oczywiście musimy wyjaśnić, że nie mówimy o kompletnym NVMe SSD, ale tylko o jednym z jego składników. Nie zapominajmy, że te jednostki pamięci mają ze sobą chipy do przechowywania danych, kontroler flash, aw wielu przypadkach pamięć RAM kontrolera.
Cóż, to o czym mówimy to chipy do przechowywania . I to właśnie Micron zdołał umieścić 128 GB pamięci na jednym chipie składającym się z 232 warstw . Rodzaj użytej komórki pamięci? TLC , więc w przyszłości moglibyśmy zobaczyć również chipy z ogniwami QLC. Wszystko to stanowi ulepszenie nie tylko w zakresie przechowywania przyszłych dysków SSD NVMe na komputery PC i konsole, ale także spadek konsumpcji , przynajmniej w magazynie. Coś, co jest konieczne ze względu na to, że wraz z przyszłym przyjęciem interfejsu PCI Express, zużycie w transferze wzrośnie.
Nie wiemy jednak w tej chwili, jakie są ulepszenia prędkości dostępu do danych w 232-warstwowej pamięci 3D NAND, informacje, które producent z Korei Południowej zachował na razie dla siebie. W każdym razie będziemy musieli poczekać do 2023 roku, aby zobaczyć pierwsze dyski półprzewodnikowe i laptopy z tą technologią. Powód? Właśnie został zaprezentowany, ale nie został jeszcze wprowadzony do produkcji.
Western Digital też nie jest daleko w tyle
Micron nie tylko wprowadził pamięć flash z ponad 200 warstwami, ale western Digital wprowadziła również podobne rozwiązanie. Podali jednak przeciwne informacje dla swojego nowego 200+ warstw 3D NAND . Ponieważ kompletnie nie znamy ich liczby. Z tego, co udało nam się dowiedzieć, prędkość transferu wzrosła o 60 % i szybkość pisania o 15%.
To jest zapowiedź nowej generacji pamięci masowej opartej na trwałych układach pamięci. I jesteśmy bardzo pewni, że nie będą pierwszymi producentami, którzy ogłoszą swoje rozwiązania w nadchodzących miesiącach lub tygodniach.
