Prolomení stropu kapacity SSD: Nová technologie V-NAND společnosti Samsung

SamsungNedávné oznámení o vývoji 290vrstvých pamětí NAND Flash představuje významný milník v roce SSD technologie (Solid State Drive).

Tento pokrok by mohl potenciálně vyřešit některá ze současných omezení, kterým SSD disky čelí, zejména pokud jde o kapacitu úložiště.

samsung ssd

Stagnace v kapacitách SSD

Navzdory široké dostupnosti SSD disků se jejich kapacity z velké části ustálily na 4 TB, přičemž několik modelů se rozšířilo na 8 TB. Tato stagnace je částečně způsobena fyzickými a technickými omezeními spojenými se současnou technologií NAND Flash a tvarovými faktory SSD.

Inovace společnosti Samsung s 290vrstvým V-NAND

Devátá generace V-NAND společnosti Samsung, která využívá novou techniku ​​„dvojitého stohování“, umožňuje více vrstev ve stejném fyzickém prostoru. To nejen zvyšuje hustotu skladování, ale děje se tak bez výrazného zvýšení nákladů. Tato technika zvyšuje elektrickou vodivost a účinnost propojení mezi vrstvami a slibuje kompaktnější, efektivnější a potenciálně větší kapacitu SSD.

Budoucnost přesahující 290 vrstev

Pokud jde o budoucnost, Samsung plánuje pokračovat v posouvání hranic s cílem vyvinout 430vrstvé paměti NAND Flash do roku 2025. Tento vývoj by mohl potenciálně pokořit současný limit 8 TB a nabídnout ještě vyšší kapacitu SSD.

Výzvy bránící růstu kapacity SSD

Navzdory těmto pokrokům zůstává několik problémů:

  1. Omezení tvarového faktoru: Standard M.2, běžně používaný pro SSD, omezuje fyzický prostor dostupný pro čipy NAND Flash. Toto omezení je kritické, protože omezuje počet čipů, které lze umístit na SSD, a tím omezuje jeho maximální možnou úložnou kapacitu.
  2. Tepelné obavy: Vysoce výkonné SSD, jako jsou ty s rozhraním PCIe 5.0, čelí značným teplotním problémům, které mohou ovlivnit jejich provoz a odolnost. Tento problém podtrhuje potřebu nových konektorů nebo vylepšených řešení správy teploty v budoucích návrzích SSD.
  3. Design paměťových buněk: Technologie jako QLC (Quad-Level Cell) a nově vznikající PLC (Penta-Level Cell) sice mohou zvýšit úložiště na buňku, přinášejí však také nevýhody. Například PLC mohou nabídnout 25% zvýšení kapacity úložiště oproti QLC, ale za cenu snížené rychlosti a životnosti. Tento kompromis je činí méně přitažlivými pro mnoho aplikací.

Oživení SATA?

Diskuse o faktorech tvaru SSD a omezeních M.2 vedla k tomu, že někteří v oboru navrhli oživení rozhraní SATA. Zatímco SATA SSD jsou obecně pomalejší ve srovnání s jejich protějšky PCIe, nepotýkají se se stejnými omezeními formátu a mohly by potenciálně nabízet větší úložné kapacity.

Proč investovat do čističky vzduchu?

Nejnovější pokroky společnosti Samsung v oblasti pamětí NAND Flash jsou slibným vývojem při hledání větších kapacit SSD. Překonání fyzických a technických problémů však bude vyžadovat více než jen pokroky v technologii paměti; může to vyžadovat přehodnocení designu SSD a rozhraní. Jak se toto odvětví neustále vyvíjí, potenciál pro větší a účinnější SSD je stále pravděpodobnější, což slibuje vzrušující možnosti pro spotřebitele i profesionály.