早在2013年，制造商Crossbar宣布生产第一款 记忆体 芯片，也称为RRAM或电阻式 内存，他们答应了 性能高达100倍 比当时的传统RAM存储器要大。 在本文中，我们将告诉您什么是ReRAM，相对于我们现在都在使用的传统内存，ReRAM的工作方式以及发生了什么从而使它停滞不前。
众所周知，当前的技术正在发展并提高其效率和性能，并不意味着我们没有探索可以完全改变我们所知的硬件的替代方法。 这些替代方案之一是电阻式存储器，它在单个产品中结合了NAND和DRAM存储器的优点，提供了显着的性能改进，但由于某种原因，尚未上市。
什么是ReRAM，RRAM或电阻式存储器？
ReRAM存储器是一种非易失性存储器（这是与普通RAM的区别之一，它是易失性的，这意味着当它停止供电时，它所包含的数据会丢失），它结合在一起，例如我们之前已经说过，DRAM和NAND存储器在单个产品中的优势。 它由三层组成：上一层（金属电极），下一层（非金属电极）和中央层，它们的作用就像是确定存储位的开关（一和零，被连接为1，未连接为0）。
RRAM通过使用也称为忆阻的固态介电材料来改变电阻，其工作方式类似于CBRAM（导电桥RAM）和PCM（相变存储器）存储器。
ReRAM的工作方式不同于NAND存储器或RAM的工作方式。 与NAND存储器不同，该技术不使用晶体管来存储电荷，而是使用分层设计来存储数据。 RRAM单元具有三层，中间有一层电介质，用于确定该单元存储的是零还是XNUMX。
上层具有金属电极，而下层具有非金属电极，因此当电介质允许时，上层能够向下层产生金属离子，从而在两个电极之间形成导电丝。在一个数据存储值和另一个数据存储值之间更改状态。
这种类型的存储器极大地简化了控制器的复杂性，因此使用非常普通的材料制造它也便宜得多，该材料不由晶体管组成（这反过来简化了其设计）并且具有较低的功耗（高达20倍）寿命比NAND短），使用寿命更长（是NAND的10倍），并且有可能将其堆叠以大大提高密度。
此外，该技术的主要设计优势之一是所需的电压电平低于其他技术，从而降低了功耗，并使其对低功耗或电源系统非常有吸引力。 顾名思义，存储器读取是电阻性的，这也简化了存储器单元读取电路。
为什么没有在市场上实现这种内存？
如我们所见，ReRAM存储器似乎只有优点而不是缺点，因为它具有更好的性能，更低的消耗并且制造成本更低。 就是说，不可避免地要问自己正在发生什么，以便它尚未被植入市场，要回答这个问题，我们必须回顾过去以了解其发展历史。
2012年，Rambus收购了一家名为Unity Semiconductor的RRAM公司； Panasonic 同年发布了一个评估套件，以便制造商可以测试其功能，但直到2013年，Crossbar才推出了首个形状像邮票的原型，能够存储1 TB的信息（记住，这是在2013年，当时为1 TB的存储空间令人难以置信）开始变得越来越重要并垄断了制造商的利益。 该公司宣布，他们已经计划在2015年大规模生产该内存。
问题在于，制造商似乎在制造这种类型的存储器的最佳材料组合上存在分歧。 松下的初始评估套件使用氧化钽1T1R（1个晶体管-1个电阻器）作为存储单元体系结构，而Crossbar原型使用的Ag / a-Si-Si存储器结构看起来像CBRAM，但基于银。 从那时起，我们已经看到了许多基于不同电材料的ReRAM原型，从钙钛矿（PCMO），过渡金属氧化物（NiO或TiO2）到相变硫族化物（Ge2Db2Te5）。
目前，忆阻器对任何物理设备的术语和适用性仍在继续讨论。 仍然有争议的是，当前的忆阻器理论是否涵盖了RRAM电阻式开关元件，而且必须补充一点的是，仍在开发其工程设计的公司不多，因此，简而言之，还没有公司提出建议。可以批量生产用于实际设备的确定模型。
尽管预计该技术是可能的 替代闪存 （不是RAM），ReRAM的成本/收益和生产性能尚未向公司证明，可以考虑进行更改或开始批量生产。 正如我们已经说过的，有很长的材料可以用来制造这种类型的存储器，并且由于每隔一段时间，就会有新技术或新材料的发现，因此目前他们尚未达成共识，为此尚未生产。