Scăderea plafonului capacității SSD: noua tehnologie V-NAND de la Samsung

Samsunganunțul recent al lui despre dezvoltarea memoriilor Flash NAND cu 290 de straturi marchează o etapă semnificativă în SSD Tehnologie (Solid State Drive).

Acest progres ar putea aborda unele dintre limitările actuale cu care se confruntă SSD-urile, în special în ceea ce privește capacitatea de stocare.

ssd samsung

Stagnarea capacităților SSD

În ciuda disponibilității pe scară largă a SSD-urilor, capacitățile acestora s-au ridicat în mare parte la 4 TB, câteva modele extinzându-se la 8 TB. Această stagnare se datorează parțial constrângerilor fizice și tehnice asociate cu tehnologia actuală NAND Flash și factorii de formă SSD.

Inovația Samsung cu 290 de straturi V-NAND

A noua generație V-NAND de la Samsung, care utilizează o nouă tehnică de „stivuire dublă”, permite mai multe straturi în același spațiu fizic. Acest lucru nu numai că crește densitatea de stocare, dar o face fără o creștere semnificativă a costurilor. Tehnica îmbunătățește eficiența conducției electrice și a interconectarii între straturi, promițând SSD-uri mai compacte, eficiente și cu o capacitate potențial mai mare.

Viitorul dincolo de 290 de straturi

Privind în perspectivă, Samsung intenționează să continue să depășească limitele cu scopul de a dezvolta memorii NAND Flash cu 430 de straturi până în 2025. Această dezvoltare ar putea spulbera limita actuală de 8 TB, oferind SSD-uri cu capacitate și mai mare.

Provocări care împiedică creșterea capacității SSD

În ciuda acestor progrese, rămân câteva provocări:

  1. Limitări ale factorului de formă: Standardul M.2, folosit în mod obișnuit pentru SSD-uri, restricționează spațiul fizic disponibil pentru cipurile NAND Flash. Această limitare este critică deoarece limitează numărul de cipuri care pot fi plasate într-un SSD, limitând astfel capacitatea maximă posibilă de stocare.
  2. Preocupări termice: SSD-urile de înaltă performanță, cum ar fi cele cu interfețe PCIe 5.0, se confruntă cu provocări termice semnificative care le pot afecta funcționarea și durabilitatea. Această problemă subliniază nevoia de noi conectori sau soluții îmbunătățite de management termic în viitoarele proiecte SSD.
  3. Design celule de memorie: În timp ce tehnologii precum QLC (Quad-Level Cell) și PLC-ul emergent (Penta-Level Cell) pot crește stocarea per celulă, ele aduc și dezavantaje. PLC-urile, de exemplu, pot oferi o creștere cu 25% a capacității de stocare față de QLC-uri, dar cu prețul vitezei și durabilității reduse. Acest compromis le face mai puțin atractive pentru multe aplicații.

Renașterea SATA?

Discuția despre factorii de formă SSD și limitările M.2 a condus la unii din industrie să sugereze o revigorare a interfeței SATA. În timp ce SSD-urile SATA sunt în general mai lente în comparație cu omologii lor PCIe, ele nu se confruntă cu aceleași limitări ale factorului de formă și ar putea oferi capacități de stocare mai mari.

Concluzie

Cele mai recente progrese ale Samsung în memoria flash NAND sunt o dezvoltare promițătoare în căutarea unor capacități SSD mai mari. Cu toate acestea, depășirea provocărilor fizice și tehnice va necesita mai mult decât progrese în tehnologia memoriei; poate necesita o regândire a designului și interfețelor SSD. Pe măsură ce industria continuă să evolueze, potențialul pentru SSD-uri mai mari și mai eficiente devine din ce în ce mai probabil, promițând posibilități interesante atât pentru consumatori, cât și pentru profesioniști.