NRAM : DRAM을 대체 할 수있는 메모리 유형

우리는 , 새로운 버전과 속도는 물론 업계의 문제입니다. 현재 프로세서와 그래픽 카드는 RAM보다 훨씬 빠른 속도로 발전하고 있으며, 이는 병목 현상을 일으키고 있으며 특히 Exascale 시스템에서 많은 기업들이 더 많은 것을보기 시작했습니다. DRAM에 시간이 계산됩니까? DDR5가 최신 버전입니까? 누가 그것을 대체 할 것인가?

AI는 컴퓨팅 분야에서 새로운 분야를 열었습니다. 새로운 분야는 자원을 간절히 원하며 특별한 속도로 삼키고 있습니다. 구성 요소 간의 차이로 인해 병목 현상이 발생하여 대역폭이 개념 상 최저 시간을 겪고 있습니다.

NRAM

MCM을 사용하면 프로세서가 최대 성능으로 확장되고 GPU는 HBM2E 참신하고 XNUMX 년마다 전력을 늘리는 SSD는 성능을 다시 높이고 DRAM은 유지할 수 없습니다.

DRAM 스케일링 및 스태킹으로 충분하지 않을 수 있음

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이러한 병목 현상에 대한 업계의 반응은 분명합니다. 용량을 늘리고 속도를 높이려면 DRAM을 더 작은 크기로 확장해야합니다. 명백한 이유로 예측이 항상 부정적이지만, 다른 구성 요소에 비해 성능 지연이 가장 큰 것은 하드웨어 업계에서 항상 지적한 것입니다.

그것의 끝은 90 nm로 예측되었고 대신에 우리는 10 nm로 간다. 그러나 모든 의견에 대한 논쟁은 다시 테이블에 다시있다.

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현재를 제외하고 DDR5는 다음 단계를위한 순간적인 구제책이 될 것입니다.

3D 스택은 우리가 이미 본 것처럼 HBM을 소개합니다. 인텔'에스 레이크 필드 또한 베테랑 DRAM을 점검 할 수있는 새로운 개념이 등장합니다.

제한적이지만 시장에서 쉽게 제거 할 수는 없습니다

SK Hynix의 Módulos DDR4, 1Z nm 제조

DRAM은 허리케인의 관점에서 항상 전선과 제조업체에 있습니다. 그러나 시장 자체는 주요 병목 현상이지만 (명백한 이유로 스토리지를 제외하고) 다른 기술이 현재 제공 할 수없는 여러 가지 이점이 있습니다.

  • 쉬운 바이트 레벨 액세스.
  • 비교적 빠른 액세스 시간.
  • 대칭 쓰기 및 읽기.
  • 무한한 데이터 보존.
  • 무한한 저항”.
  • 성숙한 기술과 저렴한 비용.

관점에서 볼 때 제조업체와 시스템의 딜레마는 이해되지만 사라지지 않는 솔루션은 무엇입니까? 면적 별 정전 용량 증가 . 더 높은 속도, 크기를 수용하고 궁극적으로 전체 성능을 향상 시키려면 고밀도 비트 셀 커패시터가 필요합니다.

RAMBus는 5 년 또는 6 년마다 속도가 두 배로 증가하며, 의심 할 여지없이 업계에서 불충분 한 시간이며, 확립 된 데이터의 양을 오류없이 지원하도록 설계하기 위해 점점 더 섬세한 케이블 링을 결정한다고 주장합니다.

DRAM을 대체 할 수있는 기술은 무엇입니까? : NRAM

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분명히 DRAM을 더 나은 삶으로 발전시킬 수있는 기술은 인텔 자체와 Micron XPoint와 같은 DRAM 자체와 NAND 플래시 사이에 있지만 새로운 차원으로 발전 할 것입니다.

새로운 기술에는 탄소 나노 튜브, 라고도 하는 CNT NRAM은 나노 튜브를 의미합니다. 이 기술은 피지 쯔가 개발하기 시작했지만 그 응용 프로그램은 NRAM 그러나 NVM 장치로 사용됩니다.

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NRAM의 기본은 Van der Waals 힘이며, CNT는 전극 도체를 기반으로하는 탄소 덩어리의 무작위 질량이되는 방식으로 함께 모입니다. 따라서 본드는 전압을 기반으로하며 반대 전압을 사용하는 열 진동에 의해 파손될 수 있습니다.

이 효과는 NRAM을 일관되지 않게 만들고 IBM과 삼성 항상 실패했지만 실패한 곳에서 Fujitsu는 핵심을 눌렀습니다. 수평으로 배열 된 CNT 층을 하나 더 추가하여 마치 금속 장벽 인 것처럼 셀을 보호합니다.

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이 단계 이후의 최적화는 셀의 저항과 폭에 중점을 두어 메모리의 크기에 의존하지 않고 단지 5ns의 스위칭 속도를 달성합니다. 이것과 같은 속도로 DRAM의 전류 밀도의 16 배를 얻을 수 있다고한다.

속도는 두 번째로 개선 될 부분이지만, DDR4 이상 DDR5를 초과 할 경우 현재 DRAM 시장을 깰 수있는 대기업 두 곳만 빠져있을 것입니다. 와 마찬가지로 CMOS DRAM의 죽음은 여러 번 예측되었으며, 이는 아마도 업계가 단기 및 장기적으로 상당한 개선을 의미하는 새로운 개념으로 도약해야 할 최선의 시도 일 것입니다.